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| 『省エネに貢献するワイドギャップ半導体パワーデバイス技術』 | |||||||||
京都大学 大学院工学研究科 電子工学専攻教授 木 本 恒 暢 氏 21世紀は環境とエネルギーの世紀と言われ、分散電源やハイブリッド車の普及が爆発的に進むと予測されている。インバータなど電力変換器のキーデバイスであるパワー半導体デバイスに対する要求と期待が大きい。近年、既存のSiパワーデバイスは成熟期に入り、特に中～高耐圧応用においてSiCやGaNなどワイドギャップ半導体を用いたパワーデバイスが大きな注目を集めている。本講演では、SiCを中心としたワイドギャップ半導体パワーデバイス技術の進展と将来展望について概説する。 |
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| 『フレキシブル基板、化合物半導体基板上のMOSFET作製用酸化シリコンナノ粒子:真空蒸着と光酸化による高品位酸化膜の作製』 | |
電気通信大学 電気通信学部 電子工学科教授 野 崎 眞 次 氏 シリコン酸化膜は、集積回路にはなくてはならないものであるが、高温で作製した酸化膜に匹敵する高品位なものは、400℃以下の低温では得られないのが現状である。我々は、"特異な"SiOナノ粉末の真空蒸着、光酸化という簡便な方法で400℃はもちろん、200℃以下でもシリコン上に高品位MOSが作製できることを確認し、また、400℃で窒化ガリウム上でも高品位MOSを作製することに成功した。 |
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| 『Introduction to Ultra-Fast I/V Applications』 |
| 概要：化合物半導体、不揮発性メモリ、ナノデバイス、CMOSデバイスなどにおける最先端電子デバイスの電気的特性評価においては、従来のDC IV測定に加え、動的な回路特性、タイムドメインでの電流及び電圧応答波形、さらには自己発熱やチャージトラップの影響を排除したIV特性のような超高速での電流電圧印加測定試験の重要性が増してきている。本セッションではその超高速IV測定を実現するための手法、アプリケーション、デバイス接続等について解説する。 |
| 『3kV/40A超のパワーデバイスのI-V/C-V試験』 |
| 概要：高電圧、高電流印加が要求されるパワーデバイスの測定を実現するためには、使用する測定器の電圧/電流のスペック以外に保護回路、プローバやテストフィクスチャとの接続、安全対策など特別に配慮すべき点が多い。本セッションではそれらを含めたケースレーの総合的なパワーデバイス測定ソリューションについて、また開発効率を高めるためのデータ解析ソリューションについて解説する。 |
| 『High brightness LED measurement challenges for the future, and how TestScriptProcessing(TSP®) technology can be used to optimize electrical testing』 |
| 概要：高輝度LEDなどの市場と技術トレンドを総括し、電気試験における将来的なチャレンジを議論する。また、一例として将来において特に重要となる試験スループットの革新を挙げ、弊社2600Aソースメータの組込み試験スクリプト技術の活用で試験システムの制御性、柔軟性が高まり、スループットの大きな向上が実現されることを示す。また、LED試験パラメータを最適に求める幾つかの手法も紹介する。 |
| シンポジウムの内容に関連するケースレーの製品による試験ソリューションを同時に展示します。弊社アプリケーションエンジニアが対応します。試験に関するコンサルティングにも対応可能です。 |
（注1） お申込頂いた方には、開催1週間前に受講票と会場地図をEメールにて送付いたし
ます。 お問合せ先：ケースレーインスツルメンツ株式会社 マーケティング Tel：03-5733-7555 Email：info.jp@keithley.com |
| お申し込み |
| ケースレーインスツルメンツ株式会社 |
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